高性能电源和霍尔效应传感器 IC
相关链接：
数据手册：
A3211 和 A3212： 微功率、超灵敏霍尔效应开关 (PDF, English)
精选指南：
霍尔效应传感器,
Omnipolar Hall-Effect Digital Switches
技术出版物：
霍尔效应感测领域中的技术进展 (PDF),
单极霍尔效应传感器
常见问题解答：
数字霍尔效应传感器常见问题解答 (English),
A3212： 微功率、超灵敏霍尔效应开关常见问题解答
新闻发布：
全新微功率全极超灵敏霍尔效应开关,
A3212/3/4： Allegro MicroSystems 公司发布全新微功率全极数字霍尔效应开关
A3211 和 A3212 数据手册附录 (PDF, English)
A3213 和 A3212
微功率、超灵敏霍尔效应开关
特点
- 微功率操作
- 使用南极或北极操作
- 在 2.5 至 3.5 V 电池电压工作
- 稳定斩波
- 超卓的温度稳定性
- 极低的开关点漂移
- 对物理应力不敏感
- 固态可靠性
- 小尺寸
- 不受磁极影响，可轻松制造
描述
A3211 和 A3212 集成电路是带有锁存数字输出的超灵敏、不受磁极约束的霍尔效应开关。这些器件尤其适用于电池供电、手持型设备的操作，例如移动和无绳电话、传呼机以及掌上型电脑。2.5 至 3.5 V工作电压范围和独特的时钟方法，能将平均操作功率要求降低到 15 µW 以下（2.75 V 电源电压时） 。
与其他霍尔效应开关不同的是，只要北极或南极磁场强度足够大，就能打开 A3212 中的输出，没有磁场的时候，输出就会停止。A3211 提供反向输出。不受磁极影响和最低的功率要求，允许这些器件轻松取换簧片开关，具有更高的可靠性并便于制造，从而降低对信号条件的要求。
稳定斩波（动态偏移取消）提升了稳定性，可降低通常由器件超模压、温度依存性及热应力引起的剩余偏移电压。
该器件将霍尔发电机、小型信号放大器、稳定斩波特性、锁存和 MOSFET 输出集中在单硅片上。运用先进的 BiCMOS 工艺，实现低电压和低功率要求、元件匹配、极低的输入偏差错误和小型元件几何尺寸。
四种封装类型能为大多数应用提供磁性优化的解决方案。微型低厚度表面安装封装类型 EH 和 EL（标高为 0.75 和 0.50 mm）不含铅，LH 是三引脚低厚度 SMD，而 UA 则是用于过孔安装的三引脚 SIP。该封装为无铅封装（后缀 –T），引脚框采用 100% 雾锡电镀。
功能方框图
| 型号 | 封装类型 | 遵循 RoHS规范 |
部件 构成/ RoHS 数据 |
温度 | 评论 | 样品 | 分销商库存 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A3211EEHLT-T | 6-lead MLP | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3211EELLT-T | 3-lead MLP | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3211ELHLT-T | 3-lead SOT | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3212EEHLT-T | 6-lead MLP | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3212EELLT-T | 3-lead MLP | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3212ELHLT-T | 3-lead SOT | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3212EUA-T | 3-pin SIP | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3212LLHLT-T | 3-lead SOT | 是 | 查看数据 | -40 °C to 150 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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| A3212LUA-T | 3-pin SIP | 是 | 查看数据 | -40 °C to 150 °C |
联系本地销售代表 或检查分销商库存 |
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