A6B595KA 和 A6B595KLW 集 8-位 CMOS 移位寄存器、随附数据锁存、控制电路和 DMOS 功率驱动器输出于一体。 功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其它中间电流或高压外围电源载荷。
串行数据输入、CMOS 移位寄存器和锁存允许与基于微处理器的系统直接相连。 串行数据输入速率可超过 5 兆赫。 与 TTL 一同使用时可能需要合适的上拉式电阻器,以确保高输入逻辑。
CMOS 串行数据输出在需要附加驱动线路的应用中启用级联连接。 带降低 rDS(开) 的类似器件包括 A6595KA 和 A6595KLW。
A6B595 DMOS 开漏输出可汲入 500 毫安的电流。 将 OUTPUT ENABLE 输入置于高位可禁用所有的输出驱动器(关闭 DMOS 灌电型驱动器)。
A6B595KA 封装于标准 20 引脚双列直插式塑料封装中。 A6B595KLW 封装于带鸥翅型引脚的宽体、小外形封装 (SOIC) 中。 铜质引脚框、降低的电源电流要求和低开态电阻允许这两个器件从所有输出中连续汲入 150 毫安的电流,以应用于环境温度超过 85°C 的应用。 该无铅产品(后缀 -T)的引脚框采用 100% 雾锡电镀。
| 型号 | 封装类型 | RoHS 符合性 |
部件构成/ RoHS 数据 |
温度 | 评论 | 样品 |
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| A6B595KA-T | 20-引脚 DIP | 是 | 查看数据 | -40 °C 至 125 °C | 联系当地销售代表 未提供样品 | |
| A6B595KLW-T | 20-铅 SOIC | 是 | 查看数据 | -40 °C 至 125 °C | 联系当地销售代表 未提供样品 | |
| A6B595KLWTR-T | 20-铅 SOIC | 是 | 查看数据 | -40 °C 至 125 °C | 联系当地销售代表 未提供样品 |