高性能电源 IC 和霍尔效应传感器
A6841
DABiC-5 8 位串行输入锁存灌电流驱动器
特点
- 3.3 伏特至 5 伏特逻辑电路电源范围
- 通电复位 (POR)
- 至 10 兆赫数据输入速率
- 施密特触发输入，以提高抗噪性
- CMOS、TTL 兼容输入
- 可在 -40C 的环境下工作
- 低功率 CMOS 逻辑电路和锁存
- 高电压、电流灌电流输出
- 内部上拉式/下拉式电阻器
- 输出瞬态保护二极管
- 单或分离式电源操作
应用
- 继电器
- 螺线管
- 感应载荷
描述
低功率 CMOS 逻辑电路和双极输出功率驱动器的整合允许 A6841 集成电路应用于各种各样的外围功率驱动器应用中。 每个器件包含一个八位 CMOS 移位寄存器和 CMOS 控制电路、八个 CMOS 数据锁存、八个双极电流灌电流达林顿输出驱动器。 500 毫安 NPN 达林顿输出和完整瞬态抑制二极管适用于继电器、螺线管和其它感应载荷。
A6841 所有的包装变动通过最小化输出破坏 50 伏特的额定电压（持续值为 35 伏特）来提供高级性能。 所有驱动器可使用分离式电源进行操作，其中的负压达到 –20 伏特。
CMOS 输入与标准 CMOS 逻辑电平兼容。. TTL 电路需要使用合适的上拉式电阻器。 通过使用串行数据输出，驱动器可针对需要附加驱动线路的接口应用进行级联。
A6841SA 器件采用标准的 18 引脚塑料 DIP 封装。 A6841SLW 器件采用 18 引脚 SOIC 封装。 20 引脚 SOIC 版本 A6841SLW-20 使热特征更完善。 SOIC 驱动器也可在 –40°C 的操作环境下工作（型号后缀为 ELW）。 这些器件均为无铅产品，且引脚框采用 100% 雾锡电镀。
功能方框图
完整型号
| 型号 | 封装类型 | RoHS 符合性 |
部件构成/ RoHS 数据 |
温度 | 评论 | 样品 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| A6841SA-T | 18-引脚 DIP | 是 | 查看数据 | -20 °C 至 85 °C | 未提供样品 | |
| A6841SLW-20-T | 20-铅 SOIC | 是 | 查看数据 | -20 °C 至 85 °C | 未提供样品 | |
| A6841SLWTR-20-T | 20-铅 SOIC | -- | -- | -20 °C 至 85 °C | 未提供样品 未提供样品 | |
| A6841EA-T | 18-引脚 DIP | 是 | 查看数据 | -40 °C 至 85 °C | 新 | 未提供样品 |
| A6841ELW-20-T | 20-铅 SOIC | -- | -- | -40 °C 至 85 °C | 未提供样品 | |
| A6841ELWTR-20-T | 20-铅 SOIC | -- | -- | -40 °C 至 85 °C | 未提供样品 未提供样品 |