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注: AHV85000 および AHV85040 はデュアル チップセットとして購入する必要があります。

GaN FET 絶縁ゲート ドライバー デュアル チップセット

AHV85000、AHV85040

DFN -10 Package

AHV85000 / AHV85040 は、GaN FET 向けに柔軟性に優れた絶縁ゲート ドライブを提供するデュアル チップセットです。パワースルー技術を採用しており、システム設計の簡素化と EMI の削減を実現。さまざまな出力用途のフローティング スイッチの駆動をサポートします。

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Description

Top Features

Typical Applications

Packaging

AHV85000 / AHV85040 は、GaN FET 用絶縁ゲート ドライブ向けにコスト最適化ソリューションを提供するデュアル チップセットです。当社推奨の外部変圧器と組み合わせることで、GaN FET に最適な電源内蔵型絶縁ゲート ドライブ ソリューションが実現。複数の用途やトポロジで活躍します。推奨されるサードパーティ製変圧器は多数あり、E モード GaN (6V ドライブ) や Cascode-GaN (12V ドライブ) を含むさまざまなゲート電圧とゲート チャージ特性に対してそれぞれ最適化されています。

チップセットは PWM 信号とゲート バイアス電圧の両方を外部変圧器を介して伝送するため、外部ゲート ドライブ補助バイアス電源やハイサイド ブートストラップを使用する必要がありません。そのため、システム設計の大幅な簡素化と、トータル コモン モード (CM) 全静電容量の削減を通じた EMI の削減が実現します。また、スイッチング電源トポロジを採用している場所であれば、フローティング スイッチを駆動させることができます。

  • デュアル チップセットは単一の外部絶縁変圧器を介して PWM 信号とバイアス電圧の両方を伝送
    • ハイサイド ブートストラップなし  
    • 外部二次側バイアス電源なし
  • 50 ns の伝搬遅延 (推奨変圧器使用時)
  • 個別のドライブ出力ピン: プルアップ (2.8 Ω) / プルダウン (1.0 Ω)
  • 電源電圧 7 V < VDRV < 13.2 V
  • 一次 VDRV および二次 VSEC に低電圧ロックアウト
  • 高速応答イネーブル ピン
  • 連続稼働時間機能 — 入力電力の再利用やブートストラップ コンデンサの再充電が不要
  • CMTI > 100 V/ns dv/dt イミュニティ (推奨変圧器使用時)
  • 沿面距離 > 4～8 mm (推奨変圧器使用時)
  • AC-DC and DC-DC converters: Totem-pole PFC, LLC half-/full-bridge, SR drive, Multi-level converters, Phase-shifted full-bridge, High-side disconnect
  • Three-phase: Vienna rectifier, T-type inverter
  • Industrial: Transportation, Robotics
  • Grid Infrastructure: Micro-inverters, Solar

The dual chipset is available in a pair of 3x3 mm DFN10 surfacemount 3x3 mm EJ packages, allowing for minimal PCB footprint.

EJ Package Documentation

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Part Number Specifications and Availability